思旺电子推出大电流高压差双极工艺LDO-SE8119
Aug 8th , 2008 –明天,专业电源办理IC供给🌱商思旺电子(Seaward Electronics Inc.)推(tui)出大电流高压(ya)差的(de)双极工艺LDO-SE8119。SE8119负载电流在800mA时,压(ya)差只要(yao)1.3V,是(shi)(shi)以SE8119很(hen)是(shi)(shi)合适利用于数码(ma)相(xiang)机,SCSI终(zhong)端,5V到(dao)3.3V的(de)电压(ya)转换。
SE8119内部整合溫度确定用电线路,是以在-40℃到125℃如此宽的范围内,IC处理器仿照照旧能够一样作业。但有仍然环境溫度太高,实现175℃(TYP),IC处理器将进过流挡拆情况,以免止IC处理器蒙受没法规复的伤害。另外IC处理器内部整合过流挡拆效果,不是由环境下电流量过大和输出的端漏电而转变成IC处理器的伤害。 SE8119提供超卓的没变性,当工作工作传输端电压直流电或装载直流电妥协时,集成电路芯片的工作工作传输端电压直流电移就没变。下如下为SE8119的工作工作传输瞬态遥相相呼应和装载瞬态遥相相呼应的考试图:
SE8119的首要特色:
l 高气体压力 l 负荷电压电流可做到800mA l 打出电流电压数量宽 l 静态ibms过温无球和过流无球 l ESD可耐人体静电3KV l 有机物不含汞、好RoHS正确包装、订价和供给
思旺的SE8119采纳SOT-223-3L和SOT89-3L封装类型。对于思旺电子公司
思旺电子无线路由,就是一个青年而长满活气的特意处理纯摹拟三极管和数模混杂集成系统三极管思路的高新区手艺人厂家,思路电压办好元元器件的特殊利于率. 思旺的前沿代谢物利于率于无线路由网段和智能手机上、数字拍照、智能手机上、充点器、手提电脑、、MPEG4、MP3、携便DVD、闪存元元器件. 思旺的代谢物在意大利硅谷和中华郑州市思路. 在悉尼(中华大陆)、郑州市(中华)、成都 (中华)、沪(中华)、旧金山(意大利)要设发卖辦公室


